高通宣布驍龍835處理器:采用三星10nm工藝,支持QC4.0快充
11月17日消息,高通剛剛公布了下一代驍龍處理器——驍龍835,高通驍龍835芯片將在2017年初發布,因此支持最新的QuickCharge40快速充電技術,基于三星10nm制造工藝打造。高通驍龍835處理器將取代驍龍821820...
11月17日消息,高通剛剛公布了下一代驍龍處理器——驍龍835,高通驍龍835芯片將在2017年初發布,因此支持最新的Quick Charge 4.0快速充電技術,基于三星10nm制造工藝打造。高通驍龍835處理器將取代驍龍821/820,成為高通公司頂級移動處理器。
不過目前高通并未公布驍龍835的更多信息,但表示10nm工藝將會帶來更好的性能領先,提升功率效率,作為對比高通驍龍820基于14nm制造工藝打造。
援引消息,三星表示10nm工藝相比14nm將使得芯片速度快27%,效率提升40%,在高通驍龍835上具體數值還需要后續才能知曉。但高通驍龍835芯片面積將變得更小是毋庸置疑的。
三星Galaxy S8有望成為首款搭載高通驍龍835處理器的智能手機設備,LG和htc也將推出搭載驍龍835的智能手機。
分享到:
投訴收藏