10nm工藝QC4.0快充 三星S8首發(fā)驍龍835嗎？

近日，高通公司宣布將與三星電子合作共同開發(fā)下一代驍龍835處理器，最大特色是采用三星10納米制程工藝打造，同時支持Quick Charge 4.0快充技術(shù)。

三星S8或首發(fā)搭載高通驍龍835

高通方面表示，由于采用全新的10納米制程工藝，驍龍835處理器將具備更低的功耗以及更高性能，從而提升移動設(shè)備的用戶體驗。

據(jù)悉，今年10月份，三星就率先公布了10納米工藝的量產(chǎn)，與上代14納米工藝相比，10納米可以減少30%的芯片尺寸，同時提升27%的性能以及降低40%的功耗。

借助10納米工藝制程，高通驍龍835處理器具備更小的SoC尺寸，讓OEM廠商可以進一步優(yōu)化移動設(shè)備的機身內(nèi)部結(jié)構(gòu)，比如增加電池或是實現(xiàn)更輕薄的設(shè)計等等。此外，制程工藝的提升也會改善電池續(xù)航能力。

目前驍龍835已經(jīng)投入生產(chǎn)，預(yù)計搭載驍龍835處理器的設(shè)備將會在2017年上半年陸續(xù)出貨。

除了驍龍835處理器之外，高通還正式發(fā)布了全新的Quick Charge 4.0快充技術(shù)，支持驍龍835處理器。QC 4.0將會在前幾代方案的基礎(chǔ)上繼續(xù)提升充電效率，官方稱充電5分鐘可以延長手機使用時長5小時，充電效率比之前增加30%。此外QC 4.0還集成了對USB-C的支持，適配范圍更廣泛。

網(wǎng)友熱議：

• 麒麟960剛剛趕上高通821的性能，這還沒有兩個月，835又要出來了，你讓花粉情何以堪？？

• 華為的麒麟面對驍龍就已經(jīng)十分吃力了。這個835對于華為會是一個巨大的挑戰(zhàn)了。