三星故計重施,砸12億重金買斷EUV機臺!

2017-11-01 09:47:22 來源:互聯網作者:佚名 人氣: 次閱讀 613 條評論

近日,全球各大半導體廠搶進先進制程,紛砸大錢向獨家供應商艾司摩爾(ASML),訂購要價1.5億美元(折合人民幣約10億元)起跳的極紫外光微影設備(EUV)。據了解,ASML今年規劃生產的12臺EUV機...

近日,全球各大半導體廠搶進先進制程,紛砸大錢向獨家供應商艾司摩爾(ASML),訂購要價1.5億美元(折合人民幣約10億元)起跳的極紫外光微影設備(EUV)。據了解,ASML今年規劃生產的12臺EUV機臺中,三星擬訂下10臺,外界推測三星此舉除考量ASML生產不順外,也趁機阻礙臺積電等其他競爭對手的量產進度。詳情一起來了解。

三星力拼7納米制程 隨著半導體制程愈來愈先進,使得10納米以下先進制程,必須導入波長只有13.5納米的極紫外光(EUV),才能降低晶圓制造的光罩數,縮短晶片制程流程。

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雖然目前ASML開發的EUV機臺造價相當昂貴,但三星已率先在7納米導入EUV,未來2年包括英特爾(Intel)、臺積電、格羅方德(GF)等也都計劃采用。

由于先前曾傳出光學鏡頭生產商蔡司(Carl Zeiss)供應不足,導致ASML的EUV機臺生產不順。而如果最后三星真的將該關鍵設備壟斷,將阻礙其他競爭對手臺積電的開發先進制程的進度,而這對于三星拓展晶圓代工業務相當有利。

EUV帶來技術性突破 極紫外光刻(Extreme Ultraviolet Lithography)又被稱作EUV光刻,它以波長為10——14納米的極紫外光作為光源的光刻技術。具體為采用波長為13.4納米的軟X射線。極紫外線就是指需要通過通電激發紫外線管的K極然后放射出紫外線。

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據悉,EUV光刻采用波長為10-14納米的極紫外光作為光源,可使曝光波長一下子降到13.5納米,它能夠把光刻技術擴展到32納米以下的特征尺寸。

目前,光刻技術已成為現代集成電路設計上最大的瓶頸。以往CPU使用的45納米、32納米工藝都是由193納米液浸式光刻系統來實現的,但是因受到波長的影響還在這個技術上有所突破是十分困難的,而采用 EUV光刻技術就會很好的解決此問題,也會為該領域帶來一次飛躍。

EUV或成芯片企業致勝關鍵 事實上,三星先前在OLED的市場爭奪戰中就用過相同手段,并因此嘗到甜頭。三星當時也是從獨家供應商日本Canon Tokki手中,將生產的7臺OLED蒸鍍機買下其中5臺,讓競爭對手LG Display及中國大陸的京東方分別只搶到1臺,發展追不上三星。

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而臺積電作為全球最大的半導體代工企業也有它的優勢,由于它一直居于領先地位,獲取了豐厚的利潤,這為它持續研發先進工藝提供了資金支持,近兩年在三星的逼迫下它正在不斷提升研發投入。

事實上,在7納米工藝上的競爭,可能會引發全球兩大芯片企業高通和蘋果訂單的變動,業界傳出消息指高通很可能將其明年的高端芯片驍龍845交給臺積電,而三星則可能奪得蘋果A12處理器的訂單。

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