站長之家(chinaz.com)8月7日消息，近期SanDisk和東芝均推出了最新一代的NAND閃存，而根據最新的消息，這種新閃存將很有可能被應用到蘋果將在2016年推出的iPhone 7身上，帶來更快、更大的存儲速度和空間。

iPhone 7將搭載新閃存技術 速度暴增

這次開發的世界首款256Gbit X3 48層3D NAND閃存，采用3bit/cell多值化技術，容量為32GB，據悉無論是在速度還是效率上都要超過現有的任何產品。并且還兼具比市面上最優秀的商用閃存芯片電路密度提高了2倍、存儲速度提高4-5倍，和低能耗的優勢，很適合手機和平板電腦的設備。

蘋果和SanDisk、東芝這兩家巨頭早已是合作伙伴，如此優秀的技術怎么可能收為己有，所以蘋果會在第一時間為自己的產品使用這種最新的閃存技術是很有可能的。

離iPhone 6s、iPhone 6s Plus發布還有一段時間，iPhone 7的各種消息漫天飛，果迷們消化得了嗎？

延伸閱讀：

• 蘋果iPhone7概念圖賞析
• 蘋果iPhone7概念圖賞析：形似iPhone6、iPhone5s合體
• 不用期待iPhone 6s了，最美iPhone 7曝光